硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片是一种半导体材料，是在硅衬底上通过外延生长技术生长一层高质量的氮化镓薄膜。氮化镓（GaN）是一种第三代半导体材料，具有宽禁带、高饱和电子漂移速度、高击穿电场强度、优良的热导率和化学稳定性等特点，这些优势使其在高频、高压、高温和大功率电子器件领域有着广阔的应用前景。

2023年全球硅基氮化镓外延片市场规模大约为0.88亿美元，预计2030年将达到5.15亿美元，2024-2030期间年复合增长率（CAGR）为28.1%。未来几年，本行业具有很大不确定性，本文的2024-2030年的预测数据是基于过去几年的历史发展、行业专家观点、以及本文分析师观点，综合给出的预测。

全球硅基氮化镓外延片（GaN-on-Si Wafer）核心厂商有英诺赛科、苏州晶湛半导体有限公司、DOWA Electronics Materials、NTT Advanced Technology (NTT-AT)和IQE等，前五大厂商占有全球大约63%的份额。中国是最大的市场，占有大约47%的份额。产品类型而言，6英寸硅基氮化镓是最大的细分，占有大约67%的份额，同时就下游来说，消费电子是最大的下游领域，占有87%的份额。

按照不同产品类型，包括如下几个类别：

    6英寸硅基氮化镓

    8英寸硅基氮化镓

    12英寸硅基氮化镓

    其他

按照不同应用，主要包括如下几个方面：

    消费电子

    工业电机

    通信领域

    汽车电子

    航空航天

    新能源

    其他应用

硅基氮化镓的优势在于：

成本优势：硅材料作为衬底成本较低且产能充足，相比于其他氮化镓衬底如蓝宝石或碳化硅，可以大幅度降低生产成本，有利于氮化镓器件的大规模商业化应用。

工艺兼容性：硅基氮化镓可以在现有的大规模硅片生产线上实现制造，一定程度上能够利用已成熟的硅基半导体工艺，简化产业链整合和市场推广。

应用领域：硅基氮化镓外延片主要用于制造各类高性能电子器件，如高效率电源转换器、射频功率放大器（尤其是在5G通信基站）、LED照明和显示器件、电动汽车充电设备、卫星通信系统以及国防军工领域等。

在工艺流程上，硅基氮化镓外延片的制备需要克服硅与氮化镓之间较大的晶格失配和热膨胀系数不匹配等问题，通过优化缓冲层设计、外延生长条件等方式来改善界面质量和减少缺陷，以实现高质量的氮化镓薄膜生长。整个外延生长过程包括表面准备、氮化处理、多次外延层生长、清洗、干燥及严格的质量检测等多个环节。

未来行业市场发展前景和投资机会在哪? 了解更多具体详情可以点击查看报告《2023-2029全球及中国硅基氮化镓外延片行业研究及十四五规划分析报告》

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